DDTC114YCA-7-F Übersicht
Der DDTC114YCA-7-F ist ein Dual-NPN-Transistor, der für effizientes Schalten und Verstärken in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Mit einer komplementären Konfiguration mit niedriger Verlustleistung und hoher Verstärkung bietet dieses Bauelement eine robuste Leistung in einem kompakten SOT-23-Gehäuse. Er weist einen maximalen Kollektorstrom von 300 mA und eine Kollektor-Emitter-Spannung auf, die für eine Vielzahl von Niederspannungsanwendungen geeignet ist. Die zuverlässigen elektrischen Eigenschaften und die thermische Stabilität des Transistors machen ihn ideal für Signalverarbeitung, Treiberstufen und allgemeine Verstärkung. Erhältlich über IC-HerstellerEs unterstützt Ingenieure und Beschaffungsspezialisten bei der Suche nach zuverlässigen Halbleiterkomponenten.
DDTC114YCA-7-F Technische Daten
Parameter | Spezifikation |
---|---|
Transistor Typ | Zweifach-NPN |
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) | 40 V |
Maximaler Kollektorstrom (IC) | 300 mA |
Verstärkung Bandbreitenprodukt (fT) | 100 MHz (typisch) |
DC-Stromverstärkung (hFE) | 100 bis 300 (je nach Prüfbedingungen) |
Verlustleistung (Ptot) | 350 mW |
Paket Typ | SOT-23 |
Betriebstemperaturbereich | -55 ??C bis +150 ??C |
DDTC114YCA-7-F Hauptmerkmale
- Doppelte NPN-Konfiguration: Ermöglicht kompaktes Schaltungsdesign durch die Integration von zwei Transistoren in einem einzigen Gehäuse, was Platz auf der Leiterplatte spart und das Layout vereinfacht.
- Hohe Strombelastbarkeit: Unterstützt Kollektorströme bis zu 300 mA, geeignet für Schalt- und Verstärkungsaufgaben mittlerer Leistung.
- Großer Spannungsbereich: Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 40 V eignet er sich für eine breite Palette von industriellen Anwendungen im Nieder- und Mittelspannungsbereich.
- Geringe Verlustleistung: Gewährleistet einen effizienten Betrieb mit minimaler Wärmeentwicklung und erhöht die Zuverlässigkeit im Dauerbetrieb.
- SOT-23-Gehäuse für Oberflächenmontage: Erleichtert die automatische Montage und kompakte Konstruktionen in Umgebungen mit begrenztem Platzangebot.
- Konsistente Verstärkungsleistung: Bietet eine stabile DC-Stromverstärkung unter typischen Bedingungen und ermöglicht ein vorhersehbares Verstärkungs- und Schaltverhalten.
DDTC114YCA-7-F Vorteile gegenüber typischen Alternativen
Dieser Dual-NPN-Transistor zeichnet sich durch die Kombination einer moderaten Stromkapazität mit einem kompakten SOT-23-Gehäuse aus und bietet eine bessere Integration und Platzersparnis als diskrete Transistorpaare. Die geringe Verlustleistung und der weite Betriebstemperaturbereich erhöhen die Zuverlässigkeit im Vergleich zu ähnlichen Komponenten. Die ausgewogenen Verstärkungs- und Spannungswerte des Bauelements sorgen für eine konsistente Schalt- und Verstärkungsleistung und machen ihn zu einer guten Wahl für Ingenieure, die Wert auf Effizienz und robusten Betrieb in der Industrieelektronik legen.
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Typische Anwendungen
- Signalverstärkung in analogen Schaltungen mit geringem Stromverbrauch, bei denen kompakte Doppeltransistorgehäuse den Platzbedarf auf der Leiterplatte verringern und die Schaltungsdichte verbessern.
- Schaltstufen in industriellen Steuerungssystemen, die eine zuverlässige Handhabung mittlerer Ströme und schnelle Reaktionszeiten erfordern.
- Treiberschaltungen für Relais, LEDs und kleine Motoren, die von der ausreichenden Verstärkung und den Spannungswerten des Transistors profitieren.
- Allgemeine Verstärkungsaufgaben in Instrumenten und Messgeräten, bei denen stabile Verstärkung und thermische Zuverlässigkeit entscheidend sind.
DDTC114YCA-7-F Markeninformation
Der DDTC114YCA-7-F ist ein Produktangebot eines renommierten Halbleiterherstellers, der für die Lieferung hochwertiger diskreter Transistorkomponenten bekannt ist, die für industrielle und Signalverarbeitungsanwendungen optimiert sind. Dieser Baustein spiegelt das Engagement der Marke für Zuverlässigkeit, Kompaktheit und Leistung in Standardgehäusen für die Oberflächenmontage wider. Das Produkt unterstützt Ingenieure und Beschaffungsexperten auf der Suche nach Dual-Transistor-Lösungen, die eine einfache Integration mit bewährten elektrischen Spezifikationen kombinieren.
FAQ
Wie hoch ist der maximale Kollektorstrom für diesen Doppel-NPN-Transistor?
Der Baustein unterstützt einen maximalen Kollektorstrom von 300 mA pro Transistor, wodurch er moderate Stromlasten bewältigen kann, wie sie für Schalt- und Verstärkungsanwendungen typisch sind.
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