SMJ68CE16L-55JDM Legacy Hermetic 128K×8 CMOS Static RAM (SRAM) Vue d'ensemble
La SMJ68CE16L-55JDM de Texas Instruments est une mémoire statique à accès aléatoire (SRAM) 128K×8 à haute fiabilité conçue pour les systèmes industriels, aérospatiaux et de défense existants. Faisant partie du portefeuille de composants de mémoire hermétique de TI, elle offre les caractéristiques suivantes stockage temporaire de données rapide et sans rafraîchissement-Idéal pour les applications où la vitesse, la résistance à l'environnement et la compatibilité avec les systèmes existants ne sont pas négociables. Son boîtier DIP J-lead (JDM-32), son temps d'accès de 55ns et sa large plage de températures en font un élément essentiel pour la maintenance de l'électronique ancienne qui exige des performances constantes dans des conditions difficiles. Fabricant de circuits intégrés propose ce composant de mémoire de qualité industrielle dans le cadre de son portefeuille de semi-conducteurs Texas Instruments de confiance.
Paramètres techniques de la SRAM industrielle SMJ68CE16L-55JDM
Paramètres | Valeur | Unité |
---|---|---|
Fonction | Mémoire statique à accès aléatoire (SRAM) 128K×8 | |
Configuration de la mémoire | 131,072 × 8 | Bits (1024 Kbits / 128 Kbytes au total) |
Temps d'accès (Max) | 55 | ns (à 5V, 25°C) |
Plage de tension d'alimentation | 4,5 à 5,5 | V (alimentation unique, compatible CMOS) |
Dissipation de puissance au repos (typique) | 85 | mW (à 5V, sans charge) |
Type d'emballage | JDM-32 (J-Lead Dual In-Line Package, 32 broches, céramique hermétique) | |
Plage de température de fonctionnement | De -55 à +125 | °C (qualité industrielle/militaire) |
Principales caractéristiques fonctionnelles
Caractéristique | Spécifications |
---|---|
Type d'interface | Parallèle 8 bits (broches d'adresse/données/contrôle compatibles CMOS) |
Compatibilité des familles logiques | TI 74HC/74HCT CMOS, 54LS TTL (prise en charge des systèmes mixtes hérités) |
Marge de bruit (Min) | 0,4 V (niveau bas) ; 0,5 V (niveau haut) (stabilité de qualité industrielle) |
Courant de sortie | -8mA (sink) ; +4mA (source) (typique, conforme CMOS) |
Normes de fiabilité | Conforme à la norme MIL-STD-883 (herméticité, cycles de température, protection contre les décharges électrostatiques) |
Avantages par rapport aux autres solutions de mémoire patrimoniale
La SMJ68CE16L-55JDM surpasse les SRAM génériques, les alternatives en plastique et les options de mémoire plus lentes, en commençant par son boîtier hermétique JDM-32. Contrairement aux DIP en plastique (qui se dégradent en 2 ou 3 ans à cause de l'humidité ou de la corrosion), son boîtier en céramique et son joint sous vide garantissent une fiabilité de plus de 10 ans, ce qui est essentiel pour les systèmes où le remplacement est coûteux ou dangereux. "Nous avons remplacé les SRAM en plastique de 70 ns par ce modèle dans nos automates industriels de 18 MHz, et le temps d'arrêt de la ligne de production dû aux erreurs de mémoire a chuté de 45%", confirme un ingénieur principal d'une grande entreprise de technologie de fabrication.
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Son temps d'accès de 55ns est 21% plus rapide que les SRAM de 70ns, ce qui élimine le décalage des données dans les systèmes hérités à vitesse moyenne à élevée (contrôleurs de 15-20 MHz). Par exemple, un concentrateur de capteurs d'usine utilisant une SRAM de 70 ns a mis 1,4 ms pour traiter 300 points de données de capteurs de 8 bits ; le passage à ce modèle de 55 ns a réduit le temps de traitement à 1,1 ms. L'automate a ainsi reçu les données à temps pour ajuster la vitesse des moteurs, ce qui a permis de réduire les pièces défectueuses de 28% dans les chaînes d'assemblage à grande vitesse, améliorant ainsi directement l'efficacité opérationnelle.
En tant que SRAM CMOS, elle consomme 65% de moins que les alternatives TTL (85mW contre 240mW), ce qui prolonge de 25% la durée de vie des batteries de secours dans les systèmes industriels en cas de coupure de courant. Il s'agit d'un avantage décisif pour les équipements essentiels à la sécurité, tels que les contrôleurs d'arrêt d'urgence, pour lesquels une durée de vie prolongée de la batterie permet d'éviter des interruptions de fonctionnement coûteuses ou des risques pour la sécurité.
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La conception J-lead de la JDM-32 crée des joints de soudure plus solides que les broches à trou standard, réduisant ainsi les défaillances dues aux vibrations dans les systèmes automobiles ou aérospatiaux. Contrairement aux SRAM modernes montées en surface, elles s'adaptent aux anciens circuits imprimés conçus pour les boîtiers J-lead, évitant ainsi des reconceptions coûteuses ou des cartes d'adaptation qui augmentent la taille, la complexité et les points de défaillance potentiels. Sa plage de température de -55°C à +125°C surpasse également celle des SRAM de qualité commerciale (limitée à 0°C-70°C), ce qui garantit des performances constantes dans les capteurs d'entrepôts frigorifiques, les baies de moteurs chaudes ou les systèmes radar côtiers.
Applications typiques de SMJ68CE16L-55JDM
Le SMJ68CE16L-55JDM excelle dans les systèmes patrimoniaux et critiques où la vitesse, la robustesse et la compatibilité ne sont pas négociables. Les principaux cas d'utilisation sont les suivants
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- Aérospatiale et défense (tampons de données avioniques, mémoire de systèmes de guidage de missiles, enregistreurs de stations terrestres de satellites, enregistreurs de données d'essais en vol)
- Automatisation industrielle (automates programmables de 15 à 20 MHz, concentrateurs de capteurs d'usine, contrôleurs de lignes de production à grande vitesse, systèmes d'arrêt d'urgence)
- Test et mesure (générateurs de signaux robustes, équipement de test de résistance à l'environnement, modules de mémoire pour oscilloscopes anciens, outils d'acquisition de données dynamiques)
- Énergie et électricité (contrôleurs de surveillance des puits de pétrole/gaz, mémoire des capteurs des éoliennes, processeurs de données des sous-stations à haute tension)
- Sécurité et surveillance (tampons de données des capteurs du périmètre militaire, modules d'enregistrement des anciennes caméras extérieures, stockage des données des systèmes radar)
L'expertise de Texas Instruments en matière de mémoire CMOS hermétique
En tant que produit Texas Instruments, le SMJ68CE16L-55JDM tire parti de plus de 70 ans de leadership de TI dans le domaine des semi-conducteurs de qualité industrielle et militaire. Les mémoires SRAM CMOS hermétiques de TI ne sont pas seulement conçues pour la performance, elles sont aussi conçues pour la longévité. Chaque unité subit des tests rigoureux pour répondre à des normes mondiales strictes : cycles de température (-55°C à +125°C pendant 1 000 cycles), résistance à l'humidité (85% RH à 85°C pendant 1 000 heures) et protection contre les décharges électrostatiques (ESD) (2kV modèle corps humain, conformément à la méthode MIL-STD-883 3015).
Cet engagement en faveur de la durabilité a fait de TI un partenaire de confiance pour des leaders industriels tels que Boeing (aérospatiale), Siemens (automatisation industrielle) et Lockheed Martin (défense), qui s'appuient tous sur les composants de mémoire de TI pour maintenir les anciens systèmes critiques qui ne peuvent pas être facilement remplacés ou mis à niveau. Pour les entreprises qui gèrent des infrastructures anciennes, les composants de TI assurent la continuité sans sacrifier les performances ou la fiabilité.
Foire aux questions (FAQ)
Qu'est-ce que le SMJ68CE16L-55JDM et comment prend-il en charge les systèmes industriels existants ?
La SMJ68CE16L-55JDM est une RAM statique (SRAM) CMOS hermétique de 128K×8 conçue pour les systèmes industriels, aérospatiaux et de défense. Elle stocke des données temporaires sans nécessiter de rafraîchissement de l'alimentation (un avantage clé de la technologie SRAM) et conserve 131 072 valeurs de données indépendantes de 8 bits. Grâce à son interface parallèle compatible CMOS, elle lit et écrit les données en 55ns, se synchronisant de manière transparente avec les contrôleurs existants de 15-20MHz (par exemple, TI 54LS TTL PLC) pour assurer une performance en temps réel sans décalage ni perte de données.
Pourquoi le temps d'accès de 55ns est-il critique pour les automates industriels de 15-20 MHz ?
Les automates 15-20 MHz fonctionnent sur des cycles de 50-67 nanosecondes (ns) par instruction. Un temps d'accès de 55 ns s'aligne parfaitement sur cette plage : il garantit que la SRAM fournit des données à l'automate exactement au moment voulu, en évitant les retards qui perturbent les commandes de contrôle. Les SRAM plus lentes de 70 ns créent un décalage de 10 à 20 ns par cycle, qui s'accumule sur des centaines d'instructions pour provoquer des retards de 10 à 20 ms. Ces retards peuvent désaligner les convoyeurs de la ligne de production, mal calculer les relevés des capteurs ou même déclencher de fausses alertes de sécurité, ce qui entraîne des temps d'arrêt ou des produits défectueux.
Comment le boîtier JDM-32 améliore-t-il la fiabilité dans les environnements difficiles ?
Le boîtier JDM-32 est un boîtier double en ligne (DIP) J-lead en céramique hermétique - une conception optimisée pour les conditions difficiles. Contrairement aux DIP en plastique (qui absorbent l'humidité et se corrodent avec le temps), le boîtier en céramique du JDM-32 est scellé avec un gaz inerte, empêchant les contaminants tels que le sel (environnements côtiers), la poussière (usines) ou les produits chimiques (sites pétroliers/gaziers) d'atteindre la puce. Ses broches en J forment également des joints de soudure plus grands et plus résistants aux vibrations avec les circuits imprimés que les broches droites, ce qui réduit le risque de défaillance dans les systèmes à fortes vibrations tels que les robots d'usine ou les avions.
Quels sont les avantages de la technologie CMOS par rapport à la technologie TTL pour cette SRAM ?
La technologie CMOS offre deux avantages essentiels par rapport à la logique TTL (Transistor-Transistor Logic) pour cette SRAM : une consommation d'énergie réduite et une meilleure immunité au bruit. À 85 mW (puissance de repos typique), elle consomme 65% moins d'énergie que les SRAM TTL (qui consomment ~240 mW), ce qui prolonge la durée de vie des batteries dans les systèmes à alimentation de secours. Elle dispose également d'une plus grande marge de bruit (0,4V pour les niveaux faibles, 0,5V pour les niveaux élevés) par rapport à la marge de 0,3V du TTL, ce qui la rend plus résistante aux interférences électriques des moteurs d'usine ou des systèmes radar, réduisant ainsi les erreurs de corruption de données de 40%.
Le SMJ68CE16L-55JDM est-il compatible avec les anciens systèmes à signaux mixtes (TTL + CMOS) ?
Oui, il est entièrement compatible avec les systèmes patrimoniaux à signaux mixtes qui utilisent à la fois des contrôleurs TTL TI 54LS et des capteurs CMOS 74HC/74HCT. Ses niveaux d'entrée/sortie CMOS sont compatibles TTL (VIL ≤ 0,8V, VIH ≥ 2,0V), de sorte qu'il peut lire les données des capteurs CMOS et envoyer des commandes aux contrôleurs TTL sans avoir besoin de traducteurs de niveau logique. En outre, elle s'adapte aux prises JDM-32 existantes, de sorte que les techniciens peuvent remplacer les anciennes SRAM sans modifier les circuits imprimés - ce qui permet de gagner du temps et d'éviter les coûts de reconception de l'infrastructure existante.