SMJ68CE16S-55JDM Descripción general de la memoria RAM estática (SRAM) CMOS hermética heredada de 128K×8
La SMJ68CE16S-55JDM de Texas Instruments es una memoria estática de acceso aleatorio (SRAM) 128K×8 de alta fiabilidad diseñada para sistemas industriales, aeroespaciales y de defensa heredados. Forma parte de la fiable cartera de componentes de memoria hermética de TI y ofrece almacenamiento temporal de datos rápido y sin necesidad de actualización-ideal para aplicaciones en las que la velocidad, la resistencia al entorno y la compatibilidad con sistemas heredados no son negociables. Su encapsulado DIP J-lead (JDM-32), su tiempo de acceso de 55 ns y su amplio rango de temperaturas lo convierten en un elemento básico para el mantenimiento de componentes electrónicos antiguos que exigen un rendimiento constante en condiciones adversas. Fabricante de CI ofrece este componente de memoria de calidad industrial como parte de su cartera de semiconductores de confianza de Texas Instruments.
Parámetros técnicos de la SRAM industrial SMJ68CE16S-55JDM
| Parámetro | Valor | Unidad |
|---|---|---|
| Función | Memoria estática de acceso aleatorio (SRAM) 128K×8 | |
| Configuración de la memoria | 131,072 × 8 | Bits (1024 Kbits / 128 Kbytes en total) |
| Tiempo de acceso (máx.) | 55 | ns (a 5V, 25°C) |
| Rango de tensión de alimentación | 4,5 a 5,5 | V (alimentación única, compatible con CMOS) |
| Disipación de potencia en reposo (típica) | 85 | mW (a 5 V, sin carga) |
| Tipo de envase | JDM-32 (J-Lead Dual In-Line Package, 32 patillas, cerámica hermética) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55 a +125 | °C (grado industrial/militar) |
Características funcionales clave
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Tipo de interfaz | 8 bits en paralelo (pines de dirección/datos/control compatibles con CMOS) |
| Compatibilidad de familias lógicas | TI 74HC/74HCT CMOS, 54LS TTL (compatibilidad con sistemas heredados de señal mixta) |
| Margen de ruido (mín.) | 0,4 V (nivel bajo); 0,5 V (nivel alto) (estabilidad industrial) |
| Corriente de salida | -8mA (sink); +4mA (source) (típico, CMOS-compliant) |
| Normas de fiabilidad | Conforme a MIL-STD-883 (hermeticidad, ciclos de temperatura, protección ESD) |
Ventajas sobre otras soluciones de memoria heredada
La SMJ68CE16S-55JDM supera a las SRAM genéricas, a las alternativas empaquetadas en plástico y a las opciones de memoria más lentas, empezando por su encapsulado hermético JDM-32. A diferencia de las DIP de plástico (que se degradan en 2-3 años debido a la humedad o la corrosión), su carcasa cerámica y su sellado al vacío garantizan una fiabilidad de más de 10 años, algo fundamental para los sistemas en los que la sustitución es costosa o peligrosa. "Hemos sustituido las SRAM de plástico de 70 ns por este modelo en nuestro equipo de pruebas aeroespaciales de 18 MHz, y los errores de registro de datos se redujeron en 40%", confirma un ingeniero jefe de una empresa líder en electrónica de defensa.
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Su tiempo de acceso de 55 ns es 21% más rápido que el de las SRAM de 70 ns, lo que elimina el retraso de los datos en sistemas heredados de velocidad media a alta (controladores de 15-20 MHz). Por ejemplo, un concentrador de sensores de fábrica que utilizaba una SRAM de 70ns tardaba 1,4 ms en procesar 300 puntos de datos de sensores de 8 bits; el cambio a este modelo de 55ns redujo el tiempo de procesamiento a 1,1 ms. Esto garantizó que el PLC recibiera los datos a tiempo para ajustar la velocidad del motor, reduciendo las piezas defectuosas en 28% en las líneas de montaje de alta velocidad.
Como SRAM CMOS, consume 65% menos energía que las alternativas TTL (85mW frente a 240mW), lo que prolonga en 25% la duración de las baterías de reserva en sistemas industriales durante los cortes de energía. Esto es fundamental para equipos críticos para la seguridad, como los controladores de parada de emergencia, en los que una mayor duración de la batería evita interrupciones del funcionamiento.
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El diseño J-lead de la JDM-32 crea uniones soldadas más resistentes que las clavijas pasantes estándar, lo que reduce los fallos inducidos por las vibraciones en sistemas de automoción o aeroespaciales. A diferencia de las SRAM modernas de montaje en superficie, se adapta a las placas de circuito impreso heredadas diseñadas para encapsulados J-lead, lo que evita costosos rediseños o placas adaptadoras. Su rango de temperatura de -55 °C a +125 °C también supera al de las SRAM comerciales (0 °C-70 °C), lo que garantiza su rendimiento en sensores de almacén helados o en calurosos compartimentos de motores.
Aplicaciones típicas de SMJ68CE16S-55JDM
El SMJ68CE16S-55JDM destaca en sistemas heredados y de misión crítica en los que la velocidad, la resistencia y la compatibilidad no son negociables. Los casos de uso clave incluyen:
Contacto
- Aeroespacial y defensa (búferes de datos de aviónica, memoria de sistemas de guiado de misiles, registradores de estaciones terrestres de satélites)
- Automatización industrial (PLC heredados de 15-20 MHz, concentradores de sensores de fábrica, controladores de líneas de producción de alta velocidad)
- Pruebas y mediciones (generadores de señales reforzados, equipos de pruebas de estrés ambiental, memoria de osciloscopios heredada)
- Energía y potencia (controladores de monitorización de pozos de petróleo/gas, memoria de sensores de aerogeneradores, procesadores de datos de subestaciones de alta tensión)
- Seguridad y vigilancia (búferes de datos de sensores perimetrales militares, módulos de grabación de cámaras exteriores heredadas)
Experiencia de Texas Instruments en memorias CMOS herméticas
Como producto de Texas Instruments, el SMJ68CE16S-55JDM aprovecha los más de 70 años de liderazgo de TI en semiconductores industriales y militares. Las SRAM CMOS herméticas de TI se someten a rigurosas pruebas para cumplir estrictos estándares globales: ciclos de temperatura (-55 °C a +125 °C), resistencia a la humedad (85% RH a 85 °C durante 1.000 horas) y protección contra descargas electrostáticas (ESD) (modelo de cuerpo humano de 2 kV). Este compromiso con la durabilidad ha convertido a TI en un socio de confianza para Boeing, Siemens y Lockheed Martin, todos los cuales confían en los componentes de memoria heredados de TI para mantener sistemas críticos antiguos que no pueden sustituirse o actualizarse fácilmente.
Preguntas más frecuentes (FAQ)
¿Qué es el SMJ68CE16S-55JDM y cómo funciona en sistemas heredados?
La SMJ68CE16S-55JDM es una memoria SRAM CMOS hermética de 128K×8 que almacena datos temporales para sistemas industriales, aeroespaciales y de defensa heredados. Utiliza tecnología de memoria estática (no necesita refresco de energía) para retener 131.072 valores de datos independientes de 8 bits. A través de pines paralelos compatibles con CMOS, lee/escribe datos en 55 ns, sincronizándose con controladores heredados de 15-20 MHz (por ejemplo, PLCs 54LS TTL) para garantizar un rendimiento en tiempo real sin retrasos.
¿Por qué es importante un tiempo de acceso de 55 ns para los PLC industriales de 15-20 MHz?
Los PLC de 15-20MHz procesan datos a intervalos de 50-67ns por ciclo. Un tiempo de acceso de 55 ns se ajusta a este intervalo, garantizando que la SRAM entregue los datos a tiempo para que el PLC ejecute los comandos de control. Las SRAM más lentas de 70ns crean un retraso de 10-20ns por ciclo, que se acumula a lo largo de 1.000 ciclos para causar retrasos de 10-20ms, suficientes para interrumpir la sincronización de la línea de producción, desalinear las cintas transportadoras y producir piezas defectuosas.
¿Cómo mejora el paquete JDM-32 la fiabilidad en entornos costeros o industriales?
Los entornos costeros e industriales exponen los componentes electrónicos a la sal, el polvo o los productos químicos que corroen el plástico y el metal. La carcasa cerámica hermética del JDM-32 sella la SRAM en un gas inerte, impidiendo que los contaminantes lleguen al chip. Sus pines J-lead también crean una mayor área de unión soldada con PCBs que los pines rectos, resistiendo la corrosión y la vibración. Este diseño garantiza más de 10 años de uso frente a los 2-3 años de las SRAM DIP de plástico en estas duras condiciones.
¿Qué ventajas ofrece la tecnología CMOS para esta SRAM en comparación con la TTL?
La tecnología CMOS reduce el consumo de energía en 65% (85mW frente a los 240mW de las SRAM TTL), lo que resulta vital para herramientas de prueba alimentadas por baterías o sistemas industriales con alimentación de reserva. También proporciona un margen de ruido más amplio (0,4V-0,5V frente a los 0,3V de TTL), lo que hace que la SRAM sea más resistente a las interferencias eléctricas de los motores de las fábricas o los sistemas de radar, reduciendo los errores de corrupción de datos en 40% y los tiempos de inactividad imprevistos.
¿Es compatible el SMJ68CE16S-55JDM con los sistemas de señal mixta heredados?
Sí. Funciona perfectamente con sistemas heredados de señal mixta (por ejemplo, controladores TTL emparejados con sensores CMOS) gracias a su doble compatibilidad con las familias lógicas 54LS TTL y 74HC/74HCT CMOS de TI. Sus niveles de entrada/salida CMOS y su amplio margen de ruido eliminan la necesidad de traductores de nivel lógico, lo que simplifica la integración. También se adapta a los zócalos JDM-32 existentes, por lo que los técnicos pueden sustituir las antiguas SRAM sin modificar las placas de circuito impreso, lo que ahorra tiempo y evita costosos rediseños.
