SMJ64C16L-70JDM Legacy Hermetic 16K×8 CMOS Static RAM (SRAM) Vue d'ensemble
La SMJ64C16L-70JDM de Texas Instruments est une mémoire statique à accès aléatoire (SRAM) 16K×8 de haute fiabilité conçue pour les systèmes industriels, aérospatiaux et de défense existants. Faisant partie du portefeuille de composants de mémoire hermétique de TI, elle offre les caractéristiques suivantes stockage temporaire de données non volatiles (aucun rafraîchissement de l'alimentation n'est nécessaire) et excelle dans les applications où la résilience environnementale, la compatibilité patrimoniale et l'équilibre vitesse/efficacité énergétique sont essentiels. Son boîtier DIP J-lead (JDM-24), son temps d'accès de 70ns et sa large plage de températures en font un élément essentiel pour la maintenance de l'électronique ancienne qui exige des performances constantes dans des conditions difficiles. Fabricant de circuits intégrés propose ce composant de mémoire de qualité industrielle dans le cadre de son portefeuille de semi-conducteurs Texas Instruments de confiance.
Paramètres techniques de la SRAM industrielle SMJ64C16L-70JDM
Paramètres | Valeur | Unité |
---|---|---|
Fonction | Mémoire statique à accès aléatoire (SRAM) 16K×8 | |
Configuration de la mémoire | 16,384 × 8 | Bits (128 Kbits / 16 Kbytes au total) |
Temps d'accès (Max) | 70 | ns (à 5V, 25°C) |
Plage de tension d'alimentation | 4,5 à 5,5 | V (alimentation unique, compatible CMOS) |
Dissipation de puissance au repos (typique) | 75 | mW (à 5V, sans charge) |
Type d'emballage | JDM-24 (J-Lead Dual In-Line Package, 24 broches, céramique hermétique) | |
Plage de température de fonctionnement | De -55 à +125 | °C (qualité industrielle/militaire) |
Principales caractéristiques fonctionnelles
Caractéristique | Spécifications |
---|---|
Type d'interface | Parallèle 8 bits (broches d'adresse/données/contrôle compatibles CMOS) |
Compatibilité des familles logiques | TI 74HC/74HCT CMOS, 54LS TTL (prise en charge des systèmes mixtes hérités) |
Marge de bruit (Min) | 0,4 V (niveau bas) ; 0,5 V (niveau haut) (stabilité de qualité industrielle) |
Courant de sortie | -8mA (sink) ; +4mA (source) (typique, conforme CMOS) |
Normes de fiabilité | Conforme à la norme MIL-STD-883 (herméticité, cycles de température, protection contre les décharges électrostatiques) |
Avantages par rapport aux autres solutions de mémoire patrimoniale
Le SMJ64C16L-70JDM surpasse les SRAM génériques, les alternatives en plastique et les options de mémoire plus rapides mais moins efficaces, en commençant par son boîtier hermétique JDM-24. Contrairement aux DIP en plastique (qui se dégradent en 2 ou 3 ans à cause de l'humidité ou de la corrosion), son boîtier en céramique et son joint sous vide garantissent une fiabilité de plus de 10 ans, ce qui est essentiel pour les systèmes où le remplacement est coûteux ou dangereux. "Nous avons remplacé les SRAM en plastique par ce modèle dans nos contrôleurs de sauvegarde industriels, et les pannes de mémoire sont passées de 18% à 0% par an", confirme un ingénieur principal d'une grande entreprise de fabrication.
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Son temps d'accès de 70 ns constitue un équilibre parfait pour les systèmes hérités à vitesse moyenne (par exemple, les automates programmables à 8-12 MHz). Les SRAM 40-50ns plus rapides gaspillent de l'énergie (35% d'énergie en plus) pour des gains de vitesse minimes, tandis que les SRAM 90ns plus lentes entraînent un décalage des données qui perturbe la synchronisation entre le capteur et le contrôleur. En tant que SRAM CMOS, elle consomme 70% de moins que les alternatives TTL (75mW contre 250mW), ce qui prolonge de 25% la durée de vie des batteries de secours dans les systèmes industriels pendant les coupures de courant - un avantage essentiel pour les équipements critiques en matière de sécurité tels que les contrôleurs d'arrêt d'urgence.
La conception J-lead de la JDM-24 crée des joints de soudure plus solides que les broches à trou standard, réduisant ainsi les défaillances dues aux vibrations dans les systèmes automobiles ou aérospatiaux. Contrairement aux SRAM modernes montées en surface, elle s'adapte aux anciens circuits imprimés conçus pour les boîtiers J-lead, évitant ainsi des reconceptions coûteuses ou des cartes d'adaptation qui ajoutent de la taille et de la complexité. Sa plage de températures de -55°C à +125°C surpasse également les SRAM de qualité commerciale (limitées à 0°C-70°C), ce qui garantit des performances dans les stations de détection arctiques glaciales ou dans les équipements industriels désertiques chauds.
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Applications typiques de SMJ64C16L-70JDM
Le SMJ64C16L-70JDM excelle dans les systèmes anciens et critiques où la robustesse, l'équilibre vitesse/puissance et la compatibilité ne sont pas négociables. Les principaux cas d'utilisation sont les suivants
- Aérospatiale et défense (tampons de données avioniques, mémoire de systèmes de guidage de missiles, enregistreurs de stations terrestres de satellites)
- Automatisation industrielle (anciens automates programmables, enregistreurs de données de machines industrielles, systèmes de contrôle de secours)
- Énergie et électricité (contrôleurs de surveillance des puits de pétrole/gaz, mémoire des capteurs des éoliennes, processeurs de données de sauvegarde des sous-stations à haute tension)
- Test et mesure (générateurs de signaux robustes, équipement de test de résistance à l'environnement, mémoire d'oscilloscope)
- Sécurité et surveillance (tampons de données de capteurs périmétriques militaires, modules d'enregistrement de caméras extérieures)
L'expertise de Texas Instruments en matière de mémoire CMOS hermétique
En tant que produit Texas Instruments, le SMJ64C16L-70JDM tire parti de plus de 70 ans de leadership de TI dans le domaine des semi-conducteurs de qualité industrielle et militaire. Les mémoires SRAM CMOS hermétiques de TI sont soumises à des tests rigoureux pour répondre à des normes mondiales strictes : cycles de température (-55°C à +125°C), résistance à l'humidité (85% RH à 85°C pendant 1 000 heures) et protection contre les décharges électrostatiques (ESD) (modèle de 2kV pour le corps humain). Cet engagement en faveur de la durabilité a fait de TI un partenaire de confiance pour Boeing, Siemens et Lockheed Martin, qui s'appuient tous sur les composants de mémoire de TI pour maintenir les anciens systèmes critiques qui ne peuvent pas être facilement remplacés ou mis à niveau.
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Foire aux questions (FAQ)
Qu'est-ce que le SMJ64C16L-70JDM et comment fonctionne-t-il dans les systèmes existants ?
La SMJ64C16L-70JDM est une SRAM CMOS hermétique de 16K×8 qui stocke des données temporaires pour les anciens systèmes industriels, aérospatiaux et de défense. Elle utilise la technologie de mémoire statique - aucun rafraîchissement d'énergie n'est nécessaire - pour conserver 16 384 valeurs de données indépendantes de 8 bits. Via des broches parallèles compatibles CMOS, elle lit/écrit les données en 70ns, en se synchronisant avec les contrôleurs existants (par exemple, 54LS TTL PLC) pour assurer une performance en temps réel sans consommation d'énergie inutile.
Pourquoi le temps d'accès de 70 ns est-il un bon équilibre pour les automates industriels à vitesse moyenne ?
Les automates programmables à vitesse moyenne (8-12 MHz) traitent les données à des intervalles de 83-125ns par cycle, ce qui est suffisamment rapide pour la plupart des tâches industrielles, mais ne nécessite pas une mémoire ultra-rapide. Un temps d'accès de 70ns correspond parfaitement à ces temps de cycle : il est suffisamment rapide pour éviter le décalage des données, mais pas au point de gaspiller de l'énergie (contrairement aux SRAM de 40ns, qui consomment 35% d'énergie en plus). Cet équilibre permet de réduire les coûts d'exploitation et d'allonger la durée de vie des batteries dans les systèmes à alimentation de secours.
Comment le boîtier JDM-24 améliore-t-il la fiabilité dans les environnements soumis à des vibrations ?
Les environnements sujets aux vibrations (robots d'usine, éoliennes, etc.) endommagent souvent les joints de soudure des SRAM à trous traversants. Les broches J-lead du JDM-24 se replient sous le boîtier, créant ainsi une plus grande zone de joint de soudure avec le circuit imprimé qui absorbe les vibrations. Lors des tests, les joints J-lead ont duré 5 fois plus longtemps que les broches droites standard dans des conditions de fortes vibrations, réduisant ainsi les temps d'arrêt non planifiés des équipements critiques.
Quels sont les avantages de la technologie CMOS pour cette SRAM par rapport à la technologie TTL ?
La technologie CMOS réduit la consommation d'énergie de 70% (75mW contre 250mW pour les SRAM TTL), ce qui est essentiel pour les outils de test alimentés par batterie ou les systèmes industriels avec alimentation de secours. Elle offre également une plus grande marge de bruit (0,4V-0,5V contre 0,3V pour TTL), ce qui rend la SRAM plus résistante aux interférences électriques des moteurs d'usine ou des systèmes radar, réduisant les erreurs de corruption de données de 40%.
Le SMJ64C16L-70JDM est-il compatible avec les anciens systèmes à signaux mixtes ?
Oui. Il fonctionne de manière transparente avec les systèmes à signaux mixtes hérités (par exemple, les contrôleurs TTL associés à des capteurs CMOS) grâce à sa double compatibilité avec les familles logiques 54LS TTL et 74HC/74HCT CMOS de TI. Ses niveaux d'entrée/sortie CMOS et sa grande marge de bruit éliminent le besoin de traducteurs de niveau logique. Il s'adapte également aux prises JDM-24 existantes, de sorte que les techniciens peuvent remplacer les anciennes SRAM sans modifier les circuits imprimés, ce qui permet de gagner du temps et d'éviter des reconceptions coûteuses.