Texas Instruments SMJ64C16S-70JDM 16K×8 SRAM, JDM-24 - 70ns Hermetic CMOS

SMJ64C16S-70JDM Legacy Hermetic 16K×8 CMOS Static RAM (SRAM) Overview

The SMJ64C16S-70JDM from Texas Instruments is a high-reliability 16K×8 static random-access memory (SRAM) engineered for legacy industrial, aerospace, and defense systems. Part of TI’s trusted portfolio of hermetic memory components, it delivers non-refresh temporary data storage—ideal for applications where environmental resilience, legacy compatibility, and balanced speed/power efficiency are non-negotiable. Its J-lead DIP (JDM-24) package, 70ns access time, and wide temperature range make it a staple for maintaining older electronics that demand consistent performance in harsh conditions. Fabricant de circuits intégrés propose ce composant de mémoire de qualité industrielle dans le cadre de son portefeuille de semi-conducteurs Texas Instruments de confiance.

Technical Parameters for SMJ64C16S-70JDM Industrial SRAM

Principales caractéristiques fonctionnelles

Avantages par rapport aux autres solutions de mémoire patrimoniale

The SMJ64C16S-70JDM outperforms generic SRAMs, plastic-packaged alternatives, and faster but less efficient memory options, starting with its hermetic JDM-24 package. Unlike plastic DIPs (which degrade in 2–3 years due to moisture or corrosion), its ceramic enclosure and vacuum seal ensure 10+ years of reliability—critical for systems where replacement is costly or dangerous. “We replaced 90ns plastic SRAMs with this model in our 12MHz industrial PLCs, and memory-related downtime dropped by 75%,” confirms a senior engineer at a leading manufacturing automation firm.

Its 70ns access time strikes a perfect balance for mid-speed legacy systems (8–15MHz controllers). Faster 40–50ns SRAMs waste power (consuming 35% more energy) for minimal speed gains, while slower 90ns SRAMs cause data lag that disrupts sensor-to-controller sync. For example, a factory sensor hub using a 90ns SRAM took 1.8ms to process 200 8-bit data points; switching to this 70ns model cut processing time to 1.4ms—fast enough to avoid delays without unnecessary power use.

As a CMOS SRAM, it uses 70% less power than TTL alternatives (75mW vs. 250mW), extending backup battery life in industrial systems by 25% during power outages. This is critical for safety-critical equipment like emergency shutdown controllers, where prolonged battery life prevents operational gaps in remote sites (e.g., oil rigs, rural factories).

La conception J-lead de la JDM-24 crée des joints de soudure plus solides que les broches à trou standard, réduisant ainsi les défaillances dues aux vibrations dans les systèmes automobiles ou aérospatiaux. Contrairement aux SRAM modernes montées en surface, elle s'adapte aux anciens circuits imprimés conçus pour les boîtiers J-lead, évitant ainsi des reconceptions coûteuses ou des cartes d'adaptation qui ajoutent de la taille et de la complexité. Sa plage de températures de -55°C à +125°C surpasse également les SRAM de qualité commerciale (limitées à 0°C-70°C), ce qui garantit des performances dans les stations de détection arctiques glaciales ou dans les équipements industriels désertiques chauds.

Typical Applications of SMJ64C16S-70JDM

The SMJ64C16S-70JDM excels in legacy and mission-critical systems where ruggedness, balanced speed/power, and compatibility are non-negotiable. Key use cases include:

• Aérospatiale et défense (tampons de données avioniques, mémoire de systèmes de guidage de missiles, enregistreurs de stations terrestres de satellites)
• Industrial Automation (8–15MHz legacy PLCs, factory machine data loggers, emergency backup control systems)
• Energy and Power (oil/gas well monitoring controllers, wind turbine sensor memory, high-voltage substation backup processors)
• Test et mesure (générateurs de signaux robustes, équipement de test de résistance à l'environnement, mémoire d'oscilloscope)
• Sécurité et surveillance (tampons de données de capteurs périmétriques militaires, modules d'enregistrement de caméras extérieures)

L'expertise de Texas Instruments en matière de mémoire CMOS hermétique

As a Texas Instruments product, the SMJ64C16S-70JDM leverages TI’s 70+ years of leadership in industrial and military-grade semiconductors. TI’s hermetic CMOS SRAMs are not just built for performance—they are engineered for longevity. Each unit undergoes rigorous testing to meet strict global standards: temperature cycling (-55°C to +125°C for 1,000 cycles), humidity resistance (85% RH at 85°C for 1,000 hours), and electrostatic discharge (ESD) protection (2kV human-body model, per MIL-STD-883 Method 3015).

This commitment to durability has made TI a trusted partner for industry leaders like Boeing (aerospace), Siemens (industrial automation), and Lockheed Martin (defense)—all of which rely on TI’s legacy memory components to maintain critical older systems that cannot be easily replaced. For businesses managing legacy infrastructure, TI’s components ensure continuity without sacrificing reliability or efficiency.

Foire aux questions (FAQ)

What is the SMJ64C16S-70JDM, and how does it work in legacy systems?

The SMJ64C16S-70JDM is a 16K×8 hermetic CMOS SRAM that stores temporary data for legacy industrial, aerospace, and defense systems. It uses static memory technology—no power refresh is needed—to retain 16,384 independent 8-bit data values. Via parallel CMOS-compatible pins, it reads/writes data in 70ns, syncing with 8–15MHz legacy controllers (e.g., 54LS TTL PLCs) to ensure real-time performance without unnecessary power drain.

Pourquoi le temps d'accès de 70 ns est-il un bon équilibre pour les automates industriels à vitesse moyenne ?

Mid-speed PLCs (8–15MHz) process data at intervals of 67–125ns per cycle—fast enough for most factory tasks but not requiring ultra-fast memory. A 70ns access time matches these cycle times perfectly: it’s fast enough to avoid data lag, but not so fast that it wastes power (unlike 40ns SRAMs, which consume 35% more energy). This balance cuts operational costs and extends battery life in backup-powered systems.

Comment le boîtier JDM-24 améliore-t-il la fiabilité dans les environnements soumis à des vibrations ?

Les environnements sujets aux vibrations (robots d'usine, éoliennes, etc.) endommagent souvent les joints de soudure des SRAM à trous traversants. Les broches J-lead du JDM-24 se replient sous le boîtier, créant ainsi une plus grande zone de joint de soudure avec le circuit imprimé qui absorbe les vibrations. Lors des tests, les joints J-lead ont duré 5 fois plus longtemps que les broches droites standard dans des conditions de fortes vibrations, réduisant ainsi les temps d'arrêt non planifiés des équipements critiques.

Quels sont les avantages de la technologie CMOS pour cette SRAM par rapport à la technologie TTL ?

CMOS technology reduces power consumption by 70% (75mW vs. 250mW for TTL SRAMs), which is vital for battery-powered test tools or industrial systems with backup power. It also provides a wider noise margin (0.4V–0.5V vs. 0.3V for TTL), making the SRAM more resistant to electrical interference from factory motors or radar systems—cutting data corruption errors by 40% and minimizing unplanned downtime.

Is the SMJ64C16S-70JDM compatible with legacy mixed-signal systems?

Oui. Il fonctionne de manière transparente avec les systèmes à signaux mixtes hérités (par exemple, les contrôleurs TTL associés à des capteurs CMOS) grâce à sa double compatibilité avec les familles logiques 54LS TTL et 74HC/74HCT CMOS de TI. Ses niveaux d'entrée/sortie CMOS et sa grande marge de bruit éliminent le besoin de traducteurs de niveau logique. Il s'adapte également aux prises JDM-24 existantes, de sorte que les techniciens peuvent remplacer les anciennes SRAM sans modifier les circuits imprimés, ce qui permet de gagner du temps et d'éviter des reconceptions coûteuses.