Texas Instruments SMJ64C16L-70JDM SRAM 16K×8, JDM-24 - CMOS ermetico 70ns

SMJ64C16L-70JDM abilita Memoria SRAM 16K×8garantendo una gestione affidabile dei dati temp nei sistemi industriali/aerospaziali legacy.

Il tempo di accesso di 70ns bilancia velocità/potenza: è fondamentale per i PLC a media velocità, dove l'efficienza è superiore alle prestazioni ultraveloci.

L'ermetico JDM-24 resiste all'umidità/corrosione, superando di 10 volte i DIP in plastica in ambienti difficili.

Migliora i sistemi di backup di fabbrica riducendo il consumo di energia e prolungando la durata della batteria di 25% durante le interruzioni.

L'intervallo da -55°C a +125°C garantisce prestazioni in magazzini gelidi o in sale macchine calde.

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Panoramica della RAM statica CMOS ermetica legacy 16K×8 SMJ64C16L-70JDM

SMJ64C16L-70JDM di Texas Instruments è una memoria statica ad accesso casuale (SRAM) da 16K×8 ad alta affidabilità, progettata per sistemi industriali, aerospaziali e di difesa. Fa parte dell'affidabile portafoglio di componenti di memoria ermetici di TI e fornisce memorizzazione temporanea non volatile dei dati (non è necessario aggiornare l'alimentazione) ed eccelle nelle applicazioni in cui sono fondamentali la resistenza ambientale, la compatibilità con il passato e l'equilibrio tra velocità ed efficienza energetica. Il suo package J-lead DIP (JDM-24), il tempo di accesso di 70ns e l'ampio intervallo di temperatura ne fanno un punto fermo per la manutenzione di vecchi dispositivi elettronici che richiedono prestazioni costanti in condizioni difficili. Produttore di circuiti integrati offre questo componente di memoria di livello industriale come parte del suo portafoglio di semiconduttori di fiducia di Texas Instruments.

Parametri tecnici per la SRAM industriale SMJ64C16L-70JDM

ParametroValoreUnità
FunzioneMemoria statica ad accesso casuale (SRAM) 16K×8
Configurazione della memoria16,384 × 8Bit (128 Kbit / 16 Kbyte totali)
Tempo di accesso (max)70ns (a 5V, 25°C)
Intervallo di tensione di alimentazioneDa 4,5 a 5,5V (alimentazione singola, compatibile CMOS)
Dissipazione di potenza a riposo (tipica)75mW (a 5 V, senza carico)
Tipo di confezioneJDM-24 (confezione J-Lead Dual In-Line, 24 pin, ceramica ermetica)
Intervallo di temperatura operativaDa -55 a +125°C (grado industriale/militare)

Caratteristiche funzionali chiave

CaratteristicaSpecifiche
Tipo di interfacciaParallelo a 8 bit (pin di indirizzo/dati/controllo compatibili CMOS)
Compatibilità delle famiglie logicheTI 74HC/74HCT CMOS, 54LS TTL (supporto per sistemi legacy a segnale misto)
Margine di rumore (min)0,4V (livello basso); 0,5V (livello alto) (stabilità di livello industriale)
Corrente di pilotaggio in uscita-8mA (sink); +4mA (source) (tipico, conforme a CMOS)
Standard di affidabilitàConforme a MIL-STD-883 (ermeticità, cicli di temperatura, protezione ESD)

Vantaggi rispetto alle soluzioni alternative di memoria legacy

L'SMJ64C16L-70JDM supera le SRAM generiche, le alternative in confezione di plastica e le opzioni di memoria più veloci ma meno efficienti, a partire dal suo contenitore ermetico JDM-24. A differenza dei DIP in plastica (che si degradano in 2-3 anni a causa dell'umidità o della corrosione), l'involucro in ceramica e la tenuta sottovuoto garantiscono un'affidabilità di oltre 10 anni, fondamentale per i sistemi in cui la sostituzione è costosa o pericolosa. "Abbiamo sostituito le SRAM in plastica con questo modello nei nostri controllori di backup industriali e i guasti alla memoria sono scesi da 18% a 0% all'anno", conferma un ingegnere senior di un'importante azienda manifatturiera.

Il suo tempo di accesso di 70ns rappresenta un equilibrio perfetto per i sistemi legacy a media velocità (ad esempio, PLC a 8-12MHz). Le SRAM più veloci da 40-50ns sprecano energia (consumando 35% in più) per ottenere guadagni minimi in termini di velocità, mentre le SRAM più lente da 90ns causano un ritardo nei dati che interrompe la sincronizzazione tra sensore e controllore. Essendo una SRAM CMOS, consuma 70% in meno rispetto alle alternative TTL (75mW contro 250mW), prolungando la durata della batteria di backup nei sistemi industriali di 25% durante le interruzioni di corrente, un vantaggio fondamentale per le apparecchiature critiche per la sicurezza come i controllori di spegnimento di emergenza.

Il design JDM-24 crea giunti di saldatura più resistenti rispetto ai pin standard a foro passante, riducendo i guasti indotti dalle vibrazioni nei sistemi automobilistici o aerospaziali. A differenza delle moderne SRAM a montaggio superficiale, si adatta ai PCB tradizionali progettati per i package J-lead, evitando costose riprogettazioni o schede di adattamento che aggiungono dimensioni e complessità. L'intervallo di temperatura da -55°C a +125°C è superiore a quello delle SRAM di tipo commerciale (limitato a 0°C-70°C), garantendo le prestazioni nelle gelide stazioni di rilevamento artiche o nelle calde apparecchiature industriali del deserto.

Applicazioni tipiche di SMJ64C16L-70JDM

L'SMJ64C16L-70JDM eccelle nei sistemi legacy e mission-critical dove la robustezza, la velocità/potenza bilanciata e la compatibilità sono elementi irrinunciabili. I casi d'uso principali includono:

  • Aerospaziale e Difesa (buffer di dati avionici, memoria del sistema di guida missilistica, logger di stazioni terrestri satellitari)
  • Automazione industriale (PLC legacy, data logger di macchine industriali, sistemi di controllo di emergenza)
  • Energia e potenza (controllori per il monitoraggio di pozzi petroliferi e di gas, memoria per sensori di turbine eoliche, processori di dati di backup di sottostazioni ad alta tensione)
  • Test e misurazioni (generatori di segnale resistenti, apparecchiature per test di stress ambientale, memoria per oscilloscopi legacy)
  • Sicurezza e sorveglianza (buffer di dati per sensori perimetrali militari, moduli di registrazione di telecamere esterne legacy)

L'esperienza di Texas Instruments nella memoria CMOS ermetica

Come prodotto Texas Instruments, SMJ64C16L-70JDM sfrutta gli oltre 70 anni di leadership di TI nei semiconduttori industriali e militari. Le SRAM CMOS ermetiche di TI sono sottoposte a test rigorosi per soddisfare i severi standard globali: cicli di temperatura (da -55°C a +125°C), resistenza all'umidità (85% RH a 85°C per 1.000 ore) e protezione dalle scariche elettrostatiche (ESD) (2kV modello corpo umano). Questo impegno per la durata ha reso TI un partner di fiducia per Boeing, Siemens e Lockheed Martin, che si affidano ai componenti di memoria legacy di TI per la manutenzione di vecchi sistemi critici che non possono essere facilmente sostituiti o aggiornati.

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Domande frequenti (FAQ)

Che cos'è l'SMJ64C16L-70JDM e come funziona nei sistemi legacy?

SMJ64C16L-70JDM è una SRAM CMOS ermetica da 16K×8 che memorizza dati temporanei per sistemi industriali, aerospaziali e di difesa. Utilizza la tecnologia della memoria statica - non è necessario il refresh dell'alimentazione - per conservare 16.384 valori di dati indipendenti a 8 bit. Tramite pin paralleli compatibili con CMOS, legge/scrive i dati in 70ns, sincronizzandosi con i controllori legacy (ad esempio, PLC TTL 54LS) per garantire prestazioni in tempo reale senza un inutile consumo di energia.

Perché il tempo di accesso di 70ns è un buon equilibrio per i PLC industriali a media velocità?

I PLC a media velocità (8-12 MHz) elaborano i dati a intervalli di 83-125ns per ciclo: una velocità sufficiente per la maggior parte delle attività di fabbrica, ma che non richiede una memoria ultraveloce. Un tempo di accesso di 70ns si adatta perfettamente a questi tempi di ciclo: è abbastanza veloce da evitare ritardi nei dati, ma non così veloce da sprecare energia (a differenza delle SRAM da 40ns, che consumano 35% in più). Questo equilibrio consente di ridurre i costi operativi e di prolungare la durata delle batterie nei sistemi alimentati in backup.

In che modo il pacchetto JDM-24 migliora l'affidabilità in ambienti soggetti a vibrazioni?

Gli ambienti soggetti a vibrazioni (ad esempio, robot di fabbrica, turbine eoliche) spesso danneggiano i giunti di saldatura SRAM a foro passante standard. I pin JDM-24 si ripiegano sotto il pacchetto, creando un'area di saldatura più ampia con il PCB che assorbe le vibrazioni. Nei test, i giunti J-lead sono durati 5 volte di più rispetto ai pin diritti standard in condizioni di alta vibrazione, riducendo i tempi di fermo non pianificati per le apparecchiature critiche.

Quali vantaggi offre la tecnologia CMOS per questa SRAM rispetto alla TTL?

La tecnologia CMOS riduce il consumo di energia di 70% (75mW rispetto ai 250mW delle SRAM TTL), un aspetto fondamentale per gli strumenti di test alimentati a batteria o per i sistemi industriali con alimentazione di riserva. Inoltre, offre un margine di rumore più ampio (0,4V-0,5V rispetto a 0,3V per TTL), rendendo la SRAM più resistente alle interferenze elettriche dei motori di fabbrica o dei sistemi radar e riducendo gli errori di corruzione dei dati di 40%.

Il modello SMJ64C16L-70JDM è compatibile con i sistemi a segnale misto precedenti?

Sì. Funziona perfettamente con i sistemi legacy a segnale misto (ad esempio, controllori TTL abbinati a sensori CMOS) grazie alla doppia compatibilità con le famiglie di logica 54LS TTL e 74HC/74HCT CMOS di TI. I suoi livelli di ingresso/uscita CMOS e l'ampio margine di rumore eliminano la necessità di traduttori di livello logico. Inoltre, si adatta agli zoccoli JDM-24 esistenti, in modo che i tecnici possano sostituire le SRAM più vecchie senza modificare i PCB, risparmiando tempo ed evitando costose riprogettazioni.

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