德州仪器 SMJ64C16L-55JDM 16K×8 SRAM、JDM-24 - 55ns 全封闭 CMOS

SMJ64C16L-55JDM 启用 16K×8 SRAM 存储器确保在传统工业/航空航天系统中进行可靠的临时数据处理。

55ns 的访问时间可实现快速读/写,这对于 12-18MHz 的 PLC 来说至关重要,因为滞后会影响生产同步。

密封式 JDM-24 可防潮/防腐蚀,在恶劣的工厂/沿海环境中,其使用寿命比塑料 DIP 长 10 倍。

在飞行测试系统中,通过减少数据滞后、提高传感器同步性(20%),改进航空航天数据记录器。

70mW 低功耗 + -55°C 至 +125°C 的温度范围,兼顾效率和坚固性,适合关键任务使用。

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SMJ64C16L-55JDM 传统密封式 16K×8 CMOS 静态 RAM (SRAM) 概览

德州仪器的 SMJ64C16L-55JDM 是一款高可靠性 16K×8 静态随机存取存储器 (SRAM),专为传统工业、航空航天和国防系统而设计。它是德州仪器值得信赖的全封闭存储器元件组合的一部分,可提供 快速、无刷新临时数据存储-是速度、环境适应性和传统兼容性要求极高的应用的理想之选。其 J 引线 DIP(JDM-24)封装、55ns 的存取时间和宽温度范围使其成为维护需要在恶劣条件下保持稳定性能的老式电子设备的主要选择。 集成电路制造商 提供这种工业级存储器件,作为其值得信赖的 Texas Instruments 半导体产品组合的一部分。

SMJ64C16L-55JDM 工业用 SRAM 的技术参数

参数价值单位
功能16K×8 静态随机存取存储器 (SRAM)
内存配置16,384 × 8比特(128 千比特/共 16 千字节)
访问时间(最长)55毫微秒(5V,25°C 时)
电源电压范围4.5 至 5.5V(单电源,CMOS 兼容)
静态功耗(典型值)70毫瓦(5V 时,无负载)
包装类型JDM-24(J 引线双列直插式封装,24 引脚,密封陶瓷)
工作温度范围-55至+125°C(工业/军用级)

主要功能特点

特征规格
接口类型8 位并行(与 CMOS 兼容的地址/数据/控制引脚)
逻辑系列兼容性TI 74HC/74HCT CMOS、54LS TTL(支持混合信号传统系统)
噪声裕量(最小值)0.4V(低电平);0.5V(高电平)(工业级稳定性)
输出驱动电流-8mA(灌电流);+4mA(源电流)(典型值,符合 CMOS 标准)
可靠性标准符合 MIL-STD-883(密封性、温度循环、ESD 保护)

与其他传统内存解决方案相比的优势

SMJ64C16L-55JDM 优于一般的 SRAM、塑料封装的替代品和速度较慢的存储器,首先是其密封的 JDM-24 封装。与塑料 DIP(2-3 年就会因潮湿或腐蚀而降级)不同,其陶瓷封装和真空密封可确保 10 年以上的可靠性,这对于更换成本高昂或有危险的系统来说至关重要。"一家领先的汽车零部件制造商的高级工程师证实说:"我们在 15MHz 的汽车 PLC 中用该型号替换了 70ns 塑料 SRAM,生产线同步错误减少了 35%。

其 55ns 的存取时间比 70ns SRAM 快 20%,消除了中高速传统系统(12-18MHz 控制器)的数据滞后现象。例如,使用 70ns SRAM 的工厂传感器集线器处理 200 个 8 位传感器数据点需要 1.3 毫秒,而改用这种 55ns 型号后,处理时间缩短到 1.0 毫秒。这确保了 PLC 能够及时接收数据以调整电机速度,从而将高速装配线上的次品率降低了 25%。

作为 CMOS SRAM,它的功耗比 TTL 替代产品低 68%(70mW 对 220mW),在断电期间可将工业系统中的备用电池寿命延长 22%。这对于紧急关闭控制器等安全关键型设备至关重要,因为电池寿命的延长可以防止出现运行间隙。

JDM-24 的 J 引线设计能产生比标准通孔引脚更强的焊点,从而减少汽车或航空航天系统中因振动引起的故障。与现代表面贴装 SRAM 不同,它适用于为 J 引线封装设计的传统 PCB,从而避免了昂贵的重新设计或适配器电路板。其 -55°C 至 +125°C 的温度范围也优于商用级 SRAM(0°C-70°C),确保了在冰冷的仓库传感器或炎热的发动机舱中的性能。

SMJ64C16L-55JDM 的典型应用

SMJ64C16L-55JDM 在对速度、坚固性和兼容性要求极高的传统系统和关键任务系统中表现出色。主要用例包括

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  • 航空航天与国防(航空电子设备数据缓冲器、导弹制导系统存储器、卫星地面站记录器)
  • 工业自动化(12-18MHz 传统 PLC、工厂传感器集线器、高速生产线控制器)
  • 测试与测量(加固型信号发生器、环境压力测试设备、传统示波器存储器)
  • 能源与电力(石油/天然气井监测控制器、风力涡轮机传感器存储器、高压变电站数据处理器)
  • 安全与监控(军用周边传感器数据缓冲器、传统室外摄像机记录模块)

德州仪器在全封闭 CMOS 存储器领域的专长

作为德州仪器的产品,SMJ64C16L-55JDM 充分发挥了德州仪器在工业和军用级半导体领域 70 多年的领先优势。德州儀器的密封式 CMOS SRAM 經過嚴格測試,符合嚴格的全球標準:溫度循環(-55°C 至 +125°C)、耐濕性(85% RH,85°C,1,000 小時)以及靜電放電 (ESD) 保護(2kV 人體模型)。德州儀器對耐用性的承諾,使德州儀器成為波音公司、西門子公司和洛克希德.馬丁公司值得信賴的合作夥伴,這些公司都仰賴德州儀器的傳統記憶體元件來維護不易更換或升級的重要舊系統。

常见问题(FAQ)

什么是 SMJ64C16L-55JDM,它如何在遗留系统中工作?

SMJ64C16L-55JDM 是一款 16K×8 密封式 CMOS SRAM,用于存储传统工业、航空航天和国防系统的临时数据。它采用静态存储器技术(无需刷新电源),可保留 16,384 个独立的 8 位数据值。通过并行 CMOS 兼容引脚,它能在 55ns 内读取/写入数据,与 12-18MHz 的传统控制器(如 54LS TTL PLC)同步,确保无延迟的实时性能。

为什么 55ns 访问时间对 12-18MHz 工业 PLC 非常重要?

12-18MHz 的 PLC 每个周期处理数据的时间间隔为 55-83ns。55ns 的访问时间与该范围的最快端相匹配,可确保 SRAM 及时为 PLC 执行控制命令提供数据。较慢的 70ns SRAM 每个周期会产生 15-25ns 的延迟,累积超过 1,000 个周期就会造成 15-25ms 的延迟,足以破坏生产线的同步、使传送带错位并产生次品。

JDM-24 套件如何提高沿海或工业环境中的可靠性?

沿海和工业环境会使电子器件受到盐、灰尘或化学品的侵蚀,从而腐蚀塑料和金属。JDM-24 的密封陶瓷外壳将 SRAM 密封在惰性气体中,阻止污染物进入芯片。与直插针相比,它的 J 引线插针还能与印刷电路板形成更大的焊点面积,从而抗腐蚀和抗振动。与塑料 DIP SRAM 2-3 年的使用寿命相比,这种设计可确保 SRAM 在这些恶劣条件下使用 10 年以上。

与 TTL 相比,CMOS 技术为这种 SRAM 带来了哪些优势?

CMOS 技术将功耗降低了 68%(70mW,而 TTL SRAM 为 220mW),这对于使用电池供电的测试工具或带备用电源的工业系统至关重要。它还提供了更宽的噪声裕量(0.4V-0.5V,而 TTL 为 0.3V),使 SRAM 更能抵御来自工厂电机或雷达系统的电气干扰,将数据损坏错误减少了 40%,减少了计划外停机时间。

SMJ64C16L-55JDM 兼容传统混合信号系统吗?

是的,由于它与 TI 的 54LS TTL 和 74HC/74HCT CMOS 逻辑系列具有双重兼容性,因此可与混合信号传统系统(例如与 CMOS 传感器配对的 TTL 控制器)无缝协作。其 CMOS 输入/输出电平和宽噪声裕度消除了对逻辑电平转换器的需求,从而简化了集成。它还适合现有的 JDM-24 插座,因此技术人员无需修改 PCB 即可替换旧的 SRAM,从而节省了时间并避免了昂贵的重新设计。

应用

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